記者／林育妃
全球晶片業巨擘Intel周一宣布，公司已發展出採65奈米技術的試驗性晶片，並預期在2005年成為首家生產這種晶片的廠商。目前廣泛應用的晶片為130奈米製程；而90奈米製程晶片則預計明年初量產。
很多工程人員和行政人員表示，技術水平的突破性越來越難以實現。英特爾和AMD都不得不延遲90奈米晶片的發布。而且很多公司在2001年向130奈米技術轉化時就已經遭遇了諸多問題。然而，英特爾有關人士還是指出，英特爾在未來十年當中仍將遵循摩爾定律。
在今年9月份，英特爾總裁保羅-奧特利尼(Paul Otellini)曾表示公司也生產出了基於65奈米技術的晶片以及45奈米技術的電晶體和用於32及22奈米技術的原型電晶體。這將使公司現有技術水平保持到2011年。
英特爾稱，其靜態隨機存取記憶體(SRAM)測試晶片上的電晶體極小，約相當於原子筆尖大小的僅一平方毫米的面積上，可擠滿1,000萬顆電晶體。
英特爾負責處理架構和整合的總監博爾(MarkBohr)表示，該公司沒有生產SRAM晶片，但之所以將它們列為測試產品，是因為此類晶片採用類似微處理器的生產要素